Manyetik Alanın Temel Postulatları

Birim yüke elektrik alan içerisinde uygulanan kuvveti daha önce;

formülüyle vermistik. Manyetik alan içerisinde ise bununla bağlantılı olarak hareket halindeki bir yüke kuvvet uygulanır. Manyetik alan içerisindeki hareketli yüke uygulanan kuvvet asağıdaki formülle verilir.

FET transistörlerin kullanılması için ilk öneriler 1955 li yıllara dayanmaktadır. Fakat o zaman ki üretim teknolojileri bilim adamlarının kafalarında oluşanları üretime yansıtacak kadar yeterli değildi. Bu nedenle FET transistörlerin yapımları ve kullanımları daha sonralara kaldı. FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir.Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör)yada kısaca bilinene adı ile FET, ikincisi ise MOSFET ( Metal Oxcide Silicon Field Effect Transistör) yada daha az bilinen adı ile IGFET (Isolated Gate Field Effect Transistör).

Özet

Sıcak taşıyıcılar nedeniyle p-MOSFET’lerde oluşan parametre yorulmaların analog uygulamalara uygun modellenmesidir. Tümdevre elemanların çalışmaları süresince sıcak taşıyıcıların neden olduğu elektronların tuzaklara yakalanma ve/veya tuzaklar oluşturma ve/veya yüzey tuzaklar oluşturması sonucunda oksit yükü ve tuzak yoğunluğu değişmektedir. Bu güne kadar sıcak taşıyıcıların oluşumu ve modellenmesi üzerinde çok sayıda çalışma bulunmaktadır. Fakat, bu araştırmaların tamamına yakını sayısal uygulamalar, için yapılmıştır. Analog uygulamalar, sayısal uygulamalara göre bir çok noktada farklılıklar göstermektedir. Önerilen model, sıcak taşıyıcı yorulma modelini ve ömür tahmin etme modelini, analog uygulamalarına uygun olarak, tek bir model olarak yeniden geliştirmiştir. Geliştirilen modelin simülasyon sonuçları, ölçüm sonuçları ile doğrulanmaktadır.

Linear (Doğrusal) RF güç yükselteçleri AM ve SSB vericilerin çıkış katı olarak yaygın olarak kullanılır. Aslında genel olarak giriş ve çıkış arasında ki bağlantı bir linear yükselteçtarafından sağlanır.

Linear yükselteç yada doğrusal yükselteç, adından daanlaşılacağı gibi girişine uygulanan sinyalin şeklini, frekansını bozmadan fakat genliğini arttırarak çıkışa aktaranyükselteçlerdir. Bu yüzden, bilgiyi genliğinde taşıyan RFsistemlerinin (AM, SSB gibi) çıkış katı olarak kullanılır.

Bir yükselteci FET, MOSFET yada BJT ile yapmak mümkündür.Burada sadece BJT li yükselteçler açıklanacaktır. Yükselteçlerin kullanılma amaçları çok farklıdır. Yükselteçleri küçük sinyal yükselteçleri ve güç yükselteçleri olarak da ikiye ayırabiliriz .Bu bölümlerde çoğunlukla güç yükselteçlerinden birazda ve yeri geldiğinde yükseltecin bayaslanma yöntemine göre küçük sinyal yükselteçleride anlatılacaktır.

Güç yükselteçlerinden beklentilerimiz nelerdir? Örneğin bir ses yükselteci olabilir, bir motoru çeviren yükselteç olabilir, bir vericinin güç yükselteci olabilir. Bunların hepsinin özelliklerinin farklı olmasına rağmen tek ortak noktaları küçük bir sinyal ile büyük güç üretmek ortak noktalarıdır.

MOSFET in anlamı, Metal Oksit Alan Etkili Transistör (Metal Oxide Field Effect Transistor) yada Geçidi Yalıtılmış Alan etkili Transistör (Isolated Gate Field Effect Transistor) dür.

Kısaca, MOSFET, IGFET yada Surface Field Effect Transistör de denir.

Bir transistör iki temel modda kullanılabilir: Kuvvetlendirici olarak analog devrelerde veya bir anahtar olarak dijital devrelerde.

Kullanımı ne olursa olsun bir transistör sadece iki şey yapabilir, anahtarlama ve kuvvetlendirme. Transistör içeren bir devre transistörü ya anahtarlama ya da kuvvetlendirme amacı ile kullanır.

Optik yalıtıcılar hem silisyum diod, Darlington transistör çifti veya SCR gibi fotodedektör, hem de bir kızıl ötesi LED içeren ( Optokuplör, Optoınterrupter gibi ) bir pakettir. Her bir elemanın dalga boyu tepkisi, olabildiğince büyük bir kuplaj ölçüsü sağlamayı mümkün kılacak kadar birbirine yakın olacak şekilde tasarlanır. Şekil 1 'de olası iki yonga düzenlemesi verilmiştir. Işığın geçmesini önlemek için yapıda ki her bir eleman kümesi arasında saydam bir yalıtma malzemesi konulmuştur. Bunların tepki süresi o kadar küçüktür ki, Mhz mertebesinde veri iletmek için kullanılır.

Güneş pilleri (fotovoltaik piller), yüzeylerine gelen güneş ışığını doğrudan elektrik enerjisine dönüştüren yarıiletken maddelerdir. Yüzeyleri kare, dikdörtgen, daire şeklinde biçimlendirilen güneş pillerinin alanları genellikle 100 cm² civarında, kalınlıkları ise 0,2-0,4 mm arasındadır...

Güneş pilleri fotovoltaik ilkeye dayalı olarak çalışırlar, yani üzerlerine ışık düştüğü zaman uçlarında elektrik gerilimi oluşur. Pilin verdiği elektrik enerjisinin kaynağı, yüzeyine gelen güneş enerjisidir. (Güneş pillerinin yapısı ve çalışması)

Özellikle yüksek güç harcayan devrelerde devrenin elektriğini kesip açmak büyük sorun olur.Bu devreleri açmak için zaman zaman röle kullanılsa da gerek röle kontaklarının oksitlenmesi gerekse röle hızının bazı devrelerde yetersiz kalması bizi başka çözüm arayışlarına iter. Bazen de büyük bir DC motorun hız kontrolü gereklidir. Bunu transistör ile yapmaya kalkarsak biraz verim sorunları yaşarız. Bir sürü neden sayabiliriz hızlı, hafif, ucuz.... bir anahtarlama elemanını kullanmak için.Tabi ki yarı iletken bir anahtardan söz ediyoruz. Bu tür ve daha pek çok farlı işleri yapan ailenin genel adı tristör ailesidir.